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在材料科學(xué)、微電子制造以及精密機(jī)械加工等多個(gè)領(lǐng)域，對表面微結(jié)構(gòu)的研究和分析至關(guān)重要。其中，凹坑的平均深度是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，對于評估材料性能、產(chǎn)品質(zhì)量等具有重要意義。而三維形貌儀作為一種先進(jìn)的測量分析儀器，在計(jì)算凹坑平均深度方面發(fā)揮著不可替代的...
Microsense電容式位移傳感器提供高穩(wěn)定性和線性方案、高分辨率、高帶寬測量方案，用于測量硬盤驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，氣動(dòng)軸承轉(zhuǎn)子，X-Y樣品臺準(zhǔn)確度，光盤，汽車零部件和機(jī)床等測量。它的用途廣泛：金屬薄片厚度測量，振動(dòng)測量，工作臺垂直度和平坦度測量，精密馬達(dá)轉(zhuǎn)軸偏振測量，精密儀器工作平臺定位，設(shè)備自動(dòng)聚焦測量（微影設(shè)備、原子力顯微鏡、光罩探測、圖像確認(rèn)、LCD生產(chǎn)設(shè)備…）它的安裝難度：它是易于安裝的Microsense電容式位移傳感器。MicroSense的電容式位移傳感器使用單個(gè)傳感...
光學(xué)膜厚儀的薄膜光譜反射系統(tǒng)，可以很簡單快速地獲得薄膜的厚度及nk，采用r-θ極坐標(biāo)移動(dòng)平臺，可以在幾秒鐘的時(shí)間內(nèi)快速的定位所需測試的點(diǎn)并測試厚度，可隨意選擇一種或極坐標(biāo)形、或方形、或線性的圖形模式，也可以編輯自己需要的測試點(diǎn)。針對不同的晶圓尺寸，盒對盒系統(tǒng)可以很容易的自動(dòng)轉(zhuǎn)換，匹配當(dāng)前盒子的尺寸。49點(diǎn)的分布圖測量只需耗時(shí)約45秒。用激光粒度分布儀測試膠體的粒度分布時(shí)應(yīng)配合其它檢測手段驗(yàn)證測試結(jié)果的準(zhǔn)確性，同時(shí)應(yīng)使用去離子水作為分散介質(zhì)，防止自來水中的電解質(zhì)造成顆粒團(tuán)聚影響...
Microsense電容式位移傳感器具有一般非接觸式儀器所共有的非接觸式特點(diǎn)外，還具有信噪比高，靈敏度高，零漂小，頻響寬，非線性小，精度穩(wěn)定性好，抗電磁干擾能力強(qiáng)和使用操作方便等優(yōu)點(diǎn)。目前，Microsense電容式位移傳感器在國內(nèi)研究所，高等院校、工廠等部門得到廣泛應(yīng)用，成為科研、教學(xué)和生產(chǎn)中一種不能缺少的測試儀器。Microsense電容式位移傳感器的分類簡介：1、被動(dòng)式：被動(dòng)式位移傳感器為一種非接觸式精密位置傳感器?；谧非笞罴训木€性和穩(wěn)定性而設(shè)計(jì)，其測量帶寬高達(dá)20千...
晶圓鍵合的概述：由于光刻的延遲和功率限制的綜合影響，制造商無法水平縮放，因此制造商正在垂直堆疊芯片設(shè)備，含三維集成技術(shù)。由于移動(dòng)設(shè)備的激增推動(dòng)了對更小電路尺寸的需求，這已變得至關(guān)重要，但這種轉(zhuǎn)變并不總是那么簡單。三維集成方案可以采用多種形式，具體取決于所需的互連密度。圖像傳感器和高密度存儲器可能需要將一個(gè)芯片直接堆疊在另一個(gè)芯片上，并通過硅通孔連接，而系統(tǒng)級封裝設(shè)計(jì)可能會將多個(gè)傳感器及其控制邏輯放在一個(gè)重新分配層上。晶圓鍵合的業(yè)內(nèi)行情：EVGroup業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)ThomasU...
半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋寝┝餍械陌雽?dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個(gè)裸片或方形子組件，這些單個(gè)裸片或正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個(gè)電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。劃刻并...